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HVMOS

Planar VDMOS和SJ MOSFET系列产品都是高压功率器件，专为高电压电力电子系统设计。无论是在工业电源、新能源、电动汽车还是工业电机控制等领域，该产品都能提供卓越的性能和可靠性，满足各种高要求的应用场景。该系列产品具有电压余量优势和极低的功耗特性，可以实现更高的系统效率、更长的使用寿命和更低的总体拥有成本，能够满足严苛的应用要求并在市场竞争中占据显著优势。

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    重置筛选器
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    重置筛选器
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    重置筛选器
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    重置筛选器
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    重置筛选器

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    重置筛选器

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    重置筛选器

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    重置筛选器

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    重置筛选器

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      TO-220

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      0.07

  • GE12N65AP
    • Voltage Range

      200V

    • Package

      TO-220

    • Chip Process

      Planar

    • VDS_max (V)

      200

    • ID (A)

      40

    • VTH (V)

      3

    • RDS(ON)@VGE=10V Typ (Ω)

      0.052

    • RDS(ON)@VGE=10V Max (Ω)

      0.07

  • GE10N65AB
    • Voltage Range

      200V

    • Package

      TO-220

    • Chip Process

      Planar

    • VDS_max (V)

      200

    • ID (A)

      40

    • VTH (V)

      3

    • RDS(ON)@VGE=10V Typ (Ω)

      0.052

    • RDS(ON)@VGE=10V Max (Ω)

      0.07

  • GE10N65AP
    • Voltage Range

      200V

    • Package

      TO-220

    • Chip Process

      Planar

    • VDS_max (V)

      200

    • ID (A)

      40

    • VTH (V)

      3

    • RDS(ON)@VGE=10V Typ (Ω)

      0.052

    • RDS(ON)@VGE=10V Max (Ω)

      0.07

  • GE7N65AY
    • Voltage Range

      200V

    • Package

      TO-220

    • Chip Process

      Planar

    • VDS_max (V)

      200

    • ID (A)

      40

    • VTH (V)

      3

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      0.052

    • RDS(ON)@VGE=10V Max (Ω)

      0.07

  • GE7N65AB
    • Voltage Range

      200V

    • Package

      TO-220

    • Chip Process

      Planar

    • VDS_max (V)

      200

    • ID (A)

      40

    • VTH (V)

      3

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      0.052

    • RDS(ON)@VGE=10V Max (Ω)

      0.07

  • GE7N65AP
    • Voltage Range

      200V

    • Package

      TO-220

    • Chip Process

      Planar

    • VDS_max (V)

      200

    • ID (A)

      40

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      3

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      0.052

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      0.07

  • GE4N65AD
    • Voltage Range

      200V

    • Package

      TO-220

    • Chip Process

      Planar

    • VDS_max (V)

      200

    • ID (A)

      40

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      3

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      0.052

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      0.07

  • GE4N65AB
    • Voltage Range

      200V

    • Package

      TO-220

    • Chip Process

      Planar

    • VDS_max (V)

      200

    • ID (A)

      40

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      3

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      0.052

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      0.07

  • GE4N65AP
    • Voltage Range

      200V

    • Package

      TO-220

    • Chip Process

      Planar

    • VDS_max (V)

      200

    • ID (A)

      40

    • VTH (V)

      3

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      0.052

    • RDS(ON)@VGE=10V Max (Ω)

      0.07

  • GE18N50AW
    • Voltage Range

      200V

    • Package

      TO-220

    • Chip Process

      Planar

    • VDS_max (V)

      200

    • ID (A)

      40

    • VTH (V)

      3

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      0.052

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      0.07

  • GE18N50AB
    • Voltage Range

      200V

    • Package

      TO-220

    • Chip Process

      Planar

    • VDS_max (V)

      200

    • ID (A)

      40

    • VTH (V)

      3

    • RDS(ON)@VGE=10V Typ (Ω)

      0.052

    • RDS(ON)@VGE=10V Max (Ω)

      0.07

  • GE18N50AP
    • Voltage Range

      200V

    • Package

      TO-220

    • Chip Process

      Planar

    • VDS_max (V)

      200

    • ID (A)

      40

    • VTH (V)

      3

    • RDS(ON)@VGE=10V Typ (Ω)

      0.052

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      0.07

  • GE13N50AW
    • Voltage Range

      200V

    • Package

      TO-220

    • Chip Process

      Planar

    • VDS_max (V)

      200

    • ID (A)

      40

    • VTH (V)

      3

    • RDS(ON)@VGE=10V Typ (Ω)

      0.052

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      0.07

  • GE13N50AB
    • Voltage Range

      200V

    • Package

      TO-220

    • Chip Process

      Planar

    • VDS_max (V)

      200

    • ID (A)

      40

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      3

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      0.052

    • RDS(ON)@VGE=10V Max (Ω)

      0.07

  • GE13N50AP
    • Voltage Range

      200V

    • Package

      TO-220

    • Chip Process

      Planar

    • VDS_max (V)

      200

    • ID (A)

      40

    • VTH (V)

      3

    • RDS(ON)@VGE=10V Typ (Ω)

      0.052

    • RDS(ON)@VGE=10V Max (Ω)

      0.07

  • GE40N20AW
    • Voltage Range

      200V

    • Package

      TO-220

    • Chip Process

      Planar

    • VDS_max (V)

      200

    • ID (A)

      40

    • VTH (V)

      3

    • RDS(ON)@VGE=10V Typ (Ω)

      0.052

    • RDS(ON)@VGE=10V Max (Ω)

      0.07

  • GE40N20AB
    • Voltage Range

      200V

    • Package

      TO-220

    • Chip Process

      Planar

    • VDS_max (V)

      200

    • ID (A)

      40

    • VTH (V)

      3

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      0.052

    • RDS(ON)@VGE=10V Max (Ω)

      0.07

  • GE40N20AP
    • Voltage Range

      200V

    • Package

      TO-220

    • Chip Process

      Planar

    • VDS_max (V)

      200

    • ID (A)

      40

    • VTH (V)

      3

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      0.052

    • RDS(ON)@VGE=10V Max (Ω)

      0.07

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