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GE10N65AP

Voltage Range650V
PackageTO-220
Chip ProcessPlanar

VDS_max(V)

650

ID(A)

10

VTH(V)

3.7
RDS(ON)@VGE=10V Typ (mΩ)0.8
RDS(ON)@VGE=10V Max (mΩ)1

应用领域

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为新能源时代 造好芯

从材料、芯片到模组等多维度出发,提供差异化、定制化解决方案