车规级功率模块

SiC模块提供多种电路配置,包括全桥、半桥和单管配置,专为大电流、高功率和高开关频率的应用设计,广泛应用于新能源汽车领域。模块电压等级涵盖750V和1200V,具备高可靠性、低开关损耗、高阻断电压和高工作结温等显著优势。 在结构设计上,GEENER SiC模块采用先进的顶层互连技术,包括DTS、Cu-CLIP互连架构及SPACER互连,确保优异的电气性能和热管理能力。此外,模块制造采用模块制造采用银烧结工艺,提高了连接质量和可靠性。 GEENER的SiC MOSFET模块适用于汽车电驱动、充电桩、光伏逆变器等对高可靠性要求极高的应用场景,助力实现更高效、更稳定的电力电子系统。

  • 4.png
  • 6.png
  • 8.png
显示筛选器 隐藏筛选器
重置

显示 0 个结果

  • VCES (V)+D1:K1
    • 1200
    • 750
    重置筛选器
  • IC (A)
    • 200
    • 250
    • 270
    • 350
    • 360
    • 390
    • 400
    • 430
    • 440
    • 450
    • 500
    • 510
    • 540
    • 550
    • 600
    • 650
    • 700
    • 800
    • 820
    • 1000
    • 1400
    重置筛选器
  • Technology
    • EDT2
    • EDT3
    • 平面SIC mos
    • 沟槽SIC mos
    重置筛选器
  • Configruation
    • 单管
    • 全桥 Full Bridge
    • 半桥 Half Bridge
    • 3 level
    重置筛选器
  • Features
    • 椭圆基板
    • 圆形基板
    重置筛选器
  • VCE (sat) (V)
    • 0.91
    • 1.16
    • 1.2
    • 1.36
    • 1.4
    • 1.45
    • 1.51
    • 1.52
    • 1.54
    • 1.55
    • 1.58
    • 1.64
    • 0.94mΩ
    • 1.1mΩ
    • 1.4mΩ
    • 1.8mΩ
    • 1.9mΩ
    • 2.25mΩ
    • 2.8mΩ
    • 2.9mΩ
    • 5.5mΩ
    • 8mΩ
    重置筛选器
  • RthJC (K/W)
    • 0.069
    • 0.075
    • 0.08
    • 0.09
    • 0.093
    • 0.1
    • 0.106
    • 0.11
    • 0.113
    • 0.115
    • 0.117
    • 0.12
    • 0.128
    • 0.13
    • 0.143
    • 0.155
    • 0.163
    • 0.185
    重置筛选器
  • Packages
    • H1
    • H7A
    • H8
    • M1
    • M2
    • M4B
    • R1
    重置筛选器
  • 产品名称
  • 比较
    显示全部
  • VCES (V)+D1:K1
    • 1200
    • 750

    重置筛选器

  • IC (A)
    • 200
    • 250
    • 270
    • 350
    • 360
    • 390
    • 400
    • 430
    • 440
    • 450
    • 500
    • 510
    • 540
    • 550
    • 600
    • 650
    • 700
    • 800
    • 820
    • 1000
    • 1400

    重置筛选器

  • Technology
    • EDT2
    • EDT3
    • 平面SIC mos
    • 沟槽SIC mos

    重置筛选器

  • Configruation
    • 单管
    • 全桥 Full Bridge
    • 半桥 Half Bridge
    • 3 level

    重置筛选器

  • Features
    • 椭圆基板
    • 圆形基板

    重置筛选器

  • VCE (sat) (V)
    • 0.91
    • 1.16
    • 1.2
    • 1.36
    • 1.4
    • 1.45
    • 1.51
    • 1.52
    • 1.54
    • 1.55
    • 1.58
    • 1.64
    • 0.94mΩ
    • 1.1mΩ
    • 1.4mΩ
    • 1.8mΩ
    • 1.9mΩ
    • 2.25mΩ
    • 2.8mΩ
    • 2.9mΩ
    • 5.5mΩ
    • 8mΩ

    重置筛选器

  • RthJC (K/W)
    • 0.069
    • 0.075
    • 0.08
    • 0.09
    • 0.093
    • 0.1
    • 0.106
    • 0.11
    • 0.113
    • 0.115
    • 0.117
    • 0.12
    • 0.128
    • 0.13
    • 0.143
    • 0.155
    • 0.163
    • 0.185

    重置筛选器

  • Packages
    • H1
    • H7A
    • H8
    • M1
    • M2
    • M4B
    • R1

    重置筛选器

  • 1200

    270

    平面SiC MOS

    半桥 Half Bridge

    /

    5.5mΩ

    /

    M4B

  • 1200

    400

    EDT2

    3 level

    /

    1.64

    0.117

    R1

  • 750

    820

    EDT2

    全桥 Full Bridge

    椭圆基板

    1.4

    0.11

    H1

  • 1200

    440

    平面SiC MOS

    半桥 Half Bridge

    /

    2.8mΩ

    /

    M4B

  • 750

    390

    沟槽SiC MOS

    全桥 Full Bridge

    椭圆基板

    2.8mΩ

    H8

  • 1200

    430

    沟槽SiC MOS

    全桥 Full Bridge

    椭圆基板

    2.9mΩ

    H8

  • 1200

    540

    平面SiC MOS

    全桥 Full Bridge

    椭圆基板

    2.8mΩ

    /

    H8B

  • 1200

    400

    EDT3

    全桥 Full Bridge

    椭圆基板

    1.52

    /

    H8B

  • 1200

    500

    平面SiC MOS

    全桥 Full Bridge

    椭圆基板

    2.8mΩ

    0.143

    H1

  • 1200

    650

    平面SiC MOS

    全桥 Full Bridge

    椭圆基板

    2.25mΩ

    0.128

    H1

  • 1200

    800

    平面SiC MOS

    全桥 Full Bridge

    椭圆基板

    1.9mΩ

    0.115

    H1

  • 1200

    1000

    平面SiC MOS

    全桥 Full Bridge

    椭圆基板

    1.4mΩ

    /

    H1

  • 1200

    1000

    平面SiC MOS

    全桥 Full Bridge

    椭圆基板

    1.4mΩ

    0.106

    H1

  • 1200

    1400

    平面SiC MOS

    全桥 Full Bridge

    椭圆基板

    1.1mΩ

    0.09

    H1

  • 1200

    600

    EDT3

    全桥 Full Bridge

    椭圆基板

    1.58

    0.12

    H1

  • 1200

    600

    EDT3

    全桥 Full Bridge

    椭圆基板

    1.58

    0.1

    H1

  • 1200

    450

    EDT3

    全桥 Full Bridge

    椭圆基板

    1.54

    0.12

    H1

  • 750

    600

    EDT2

    全桥 Full Bridge

    圆形基板

    1.55

    0.155

    H1

  • 1200

    800

    平面SiC MOS

    全桥 Full Bridge

    椭圆基板

    1.9mΩ

    0.115

    H1

c1_img08.jpg

为新能源时代 造好芯

从材料、芯片到模组等多维度出发,提供差异化、定制化解决方案