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GE7N65AB

Voltage Range650V
PackageTO-263
Chip ProcessPlanar

VDS_max(V)

650

ID(A)

7

VTH(V)

3
RDS(ON)@VGE=10V Typ (mΩ)1.2
RDS(ON)@VGE=10V Max (mΩ)1.35

应用领域

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为新能源时代 造好芯

从材料、芯片到模组等多维度出发,提供差异化、定制化解决方案