中
  • _0005_TO263.png

GE10N65AB

Voltage Range650V
PackageTO-263
Chip ProcessPlanar

VDS_max(V)

650

ID(A)

10

VTH(V)

3.7
RDS(ON)@VGE=10V Typ (mΩ)0.8
RDS(ON)@VGE=10V Max (mΩ)1

应用领域

c1_img08.jpg

为新能源时代 造好芯

从材料、芯片到模组等多维度出发，提供差异化、定制化解决方案

获取更多方案