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GE40N20AW

Voltage Range200V
PackageTO-247
Chip ProcessPlanar

VDS_max(V)

200

ID(A)

40

VTH(V)

3
RDS(ON)@VGE=10V Typ (mΩ)0.052
RDS(ON)@VGE=10V Max (mΩ)0.07

应用领域

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为新能源时代 造好芯

从材料、芯片到模组等多维度出发,提供差异化、定制化解决方案