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GE65R380AB

Voltage Range650V
PackageTO-263
Chip ProcessSJ

VDS_max(V)

650

ID(A)

10.5

VTH(V)

3
RDS(ON)@VGE=10V Typ (mΩ)0.332
RDS(ON)@VGE=10V Max (mΩ)0.38

应用领域

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为新能源时代 造好芯

从材料、芯片到模组等多维度出发,提供差异化、定制化解决方案