中

SiC

碳化硅功率MOSFET产品，具有高电流密度、击穿电压高、超低导通损耗和开关损耗、短路承受能力强等特点，能够为各类高功率应用提供高可靠性和高安全裕量的支持。这些产品广泛应用于新能源汽车驱动系统、太阳能逆变器、充电桩、服务器电源等高效能电力电子领域。此外，该系列产品采用TO-247-4L封装，并配备额外的开尔文引脚，通过绕过控制回路中的源极引线电感，有效降低寄生效应，进一步优化开关性能并降低总体开关损耗。

  • _0000_TO247-4L.png
显示筛选器 隐藏筛选器
重置

显示 0 个结果

  • Voltage Range
    • 650V
    • 1200V
    重置筛选器
  • Package
    • TO-247-4L
    重置筛选器
  • Chip Process
    • SiC MOS
    重置筛选器
  • Polarity
    • N
    重置筛选器
  • VDS_max (V)
    • 650
    • 1200
    重置筛选器
  • ID (A)
    • 18
    • 36
    • 37
    • 65
    • 67
    • 71
    • 79
    • 152
    • 185
    重置筛选器
  • VGS_max(V) (dynamic)
    • -10/+22
    • -10/+23
    • -10/+25
    • -8/+22
    重置筛选器
  • VTH (V)
    • 2.7
    • 2.8
    • 2.98
    • 3
    重置筛选器
  • RDS(ON)@15V,25℃ Typ (mΩ)
    • 14.00
    • 36.00
    • 40.00
    • 45.00
    • 60.00
    • 80.00
    • 160.00
    • -
    重置筛选器
  • RDS(ON)@18V,25 ℃ Typ (mΩ)
    • 10.40
    • 14.00
    • 30.00
    • 32.00
    • 35.00
    • 40.00
    • 52.00
    • 64.00
    • 140.00
    重置筛选器
  • RDS(ON)@18V,25 ℃ Max (mΩ)
    • 13.00
    • 20.00
    • 39.00
    • 40.00
    • 45.00
    • 46.00
    • 70.00
    • 85.00
    • 180.00
    重置筛选器
  • RDS(ON)@18V,175℃ Typ (mΩ)
    • 21.00
    • 24.30
    • 55.00
    • 56.00
    • 57.00
    • 58.00
    • 77.00
    • 101.00
    • 215.00
    重置筛选器
  • Ciss (pF)
    • 667.00
    • 1190.00
    • 1372.00
    • 2041.00
    • 2150.00
    • 3000.00
    • 6053.00
    • 6411.00
    重置筛选器
  • Coss (pF)
    • 40.00
    • 88.00
    • 90.00
    • 101.00
    • 129.00
    • 140.00
    • 223.00
    • 227.00
    重置筛选器
  • Crss (pF)
    • 3.20
    • 4.74
    • 5.00
    • 7.00
    • 7.30
    • 7.70
    • 13.00
    • 19.50
    重置筛选器
  • Qg@Vgs= -5 V/+20 V (nC)
    • 59.00
    • 68.00
    • 71.30
    • 83.00
    • 105.00
    • 135.00
    • 208.00
    • 322.00
    重置筛选器
  • Qgs (nC)
    • 5.50
    • 12.00
    • 16.00
    • 17.00
    • 18.70
    • 23.00
    • 36.80
    • 48.00
    • 51.00
    重置筛选器
  • Qgd (nC)
    • 17.00
    • 21.00
    • 25.00
    • 29.00
    • 31.20
    • 33.00
    • 45.30
    • 81.00
    重置筛选器
  • Vf (V)@标称电流 25℃
    • 3.30
    • 3.50
    • 3.70
    • 4.10
    • 4.20
    • 4.90
    • 4.96
    • 5.20
    重置筛选器
  • Vf (V)@标称电流 175℃
    • 2.60
    • 2.90
    • 3.00
    • 3.60
    • 3.70
    • 4.00
    • 4.62
    • 4.80
    • -
    重置筛选器
  • 产品名称
  • 比较
    显示全部
  • Voltage Range
    • 650V
    • 1200V

    重置筛选器

  • Package
    • TO-247-4L

    重置筛选器

  • Chip Process
    • SiC MOS

    重置筛选器

  • Polarity
    • N

    重置筛选器

  • VDS_max (V)
    • 650
    • 1200

    重置筛选器

  • ID (A)
    • 18
    • 36
    • 37
    • 65
    • 67
    • 71
    • 79
    • 152
    • 185

    重置筛选器

  • VGS_max(V) (dynamic)
    • -10/+22
    • -10/+23
    • -10/+25
    • -8/+22

    重置筛选器

  • VTH (V)
    • 2.7
    • 2.8
    • 2.98
    • 3

    重置筛选器

  • RDS(ON)@15V,25℃ Typ (mΩ)
    • 14.00
    • 36.00
    • 40.00
    • 45.00
    • 60.00
    • 80.00
    • 160.00
    • -

    重置筛选器

  • RDS(ON)@18V,25 ℃ Typ (mΩ)
    • 10.40
    • 14.00
    • 30.00
    • 32.00
    • 35.00
    • 40.00
    • 52.00
    • 64.00
    • 140.00

    重置筛选器

  • RDS(ON)@18V,25 ℃ Max (mΩ)
    • 13.00
    • 20.00
    • 39.00
    • 40.00
    • 45.00
    • 46.00
    • 70.00
    • 85.00
    • 180.00

    重置筛选器

  • RDS(ON)@18V,175℃ Typ (mΩ)
    • 21.00
    • 24.30
    • 55.00
    • 56.00
    • 57.00
    • 58.00
    • 77.00
    • 101.00
    • 215.00

    重置筛选器

  • Ciss (pF)
    • 667.00
    • 1190.00
    • 1372.00
    • 2041.00
    • 2150.00
    • 3000.00
    • 6053.00
    • 6411.00

    重置筛选器

  • Coss (pF)
    • 40.00
    • 88.00
    • 90.00
    • 101.00
    • 129.00
    • 140.00
    • 223.00
    • 227.00

    重置筛选器

  • Crss (pF)
    • 3.20
    • 4.74
    • 5.00
    • 7.00
    • 7.30
    • 7.70
    • 13.00
    • 19.50

    重置筛选器

  • Qg@Vgs= -5 V/+20 V (nC)
    • 59.00
    • 68.00
    • 71.30
    • 83.00
    • 105.00
    • 135.00
    • 208.00
    • 322.00

    重置筛选器

  • Qgs (nC)
    • 5.50
    • 12.00
    • 16.00
    • 17.00
    • 18.70
    • 23.00
    • 36.80
    • 48.00
    • 51.00

    重置筛选器

  • Qgd (nC)
    • 17.00
    • 21.00
    • 25.00
    • 29.00
    • 31.20
    • 33.00
    • 45.30
    • 81.00

    重置筛选器

  • Vf (V)@标称电流 25℃
    • 3.30
    • 3.50
    • 3.70
    • 4.10
    • 4.20
    • 4.90
    • 4.96
    • 5.20

    重置筛选器

  • Vf (V)@标称电流 175℃
    • 2.60
    • 2.90
    • 3.00
    • 3.60
    • 3.70
    • 4.00
    • 4.62
    • 4.80
    • -

    重置筛选器

  • 1200V

    TO-247-4L

    SiC MOS

    N

    1200

    185

    -8/+22

    2.98

    12.30

    10.40

    13.00

    24.30

    6411.00

    227.00

    4.74

    208.00

    48.00

    25.00

    4.96

    4.62

  • 1200V

    TO-247-4L

    SiC MOS

    N

    1200

    152

    -10/+22

    2.7

    14.00

    14.00

    20.00

    21.00

    6053.00

    223.00

    5.00

    322.00

    51.00

    81.00

    5.20

    -

  • 1200V

    TO-247-4L

    SiC MOS

    N

    1200

    79

    -10/+23

    2.8

    36.00

    30.00

    39.00

    55.00

    3000.00

    140.00

    7.70

    135.00

    36.80

    45.30

    4.20

    4.00

  • 1200V

    TO-247-4L

    SiC MOS

    N

    1200

    65

    -8/+22

    2.8

    -

    40.00

    45.00

    58.00

    2041.00

    101.00

    7.00

    71.30

    18.70

    31.20

    4.10

    3.60

  • 1200V

    TO-247-4L

    SiC MOS

    N

    1200

    65

    -8/+22

    2.8

    -

    40.00

    45.00

    58.00

    2041.00

    101.00

    7.00

    71.30

    18.70

    31.20

    4.10

    3.60

  • 1200V

    TO-247-4L

    SiC MOS

    N

    1200

    67

    -10/+23

    2.8

    45.00

    35.00

    46.00

    57.00

    2150.00

    90.00

    3.20

    83.00

    23.00

    21.00

    4.90

    4.80

  • 1200V

    TO-247-4L

    SiC MOS

    N

    1200

    36

    -10/+25

    3

    -

    80.00

    -

    -

    1372.00

    88.00

    19.50

    105.00

    17.00

    33.00

    3.50

    3.00

  • 1200V

    TO-247-4L

    SiC MOS

    N

    1200

    18

    -10/+25

    3

    -

    160.00

    -

    -

    667.00

    40.00

    7.30

    59.00

    5.50

    21.00

    3.70

    2.90

  • 650V

    TO-247-4L

    SiC MOS

    N

    650

    37

    -10/+25

    3

    -

    60.00

    -

    -

    1190.00

    129.00

    13.00

    68.00

    16.00

    17.00

    3.30

    2.60

  • GE130C120SW
    • Voltage Range

      650V

    • Package

      TO-247-4L

    • Chip Process

      SiC MOS

    • Polarity

      N

    • VDS_max (V)

      650

    • ID (A)

      37

    • VGS_max(V) (dynamic)

      -10/+25

    • VTH (V)

      3

    • RDS(ON)@15V,25℃ Typ (mΩ)

      -

    • RDS(ON)@18V,25 ℃ Typ (mΩ)

      60.00

    • RDS(ON)@18V,25 ℃ Max (mΩ)

      -

    • RDS(ON)@18V,175℃ Typ (mΩ)

      -

    • Ciss (pF)

      1190.00

    • Coss (pF)

      129.00

    • Crss (pF)

      13.00

    • Qg@Vgs= -5 V/+20 V (nC)

      68.00

    • Qgs (nC)

      16.00

    • Qgd (nC)

      17.00

    • Vf (V)@标称电流 25℃

      3.30

    • Vf (V)@标称电流 175℃

      2.60

  • GE140C120KW
    • Voltage Range

      650V

    • Package

      TO-247-4L

    • Chip Process

      SiC MOS

    • Polarity

      N

    • VDS_max (V)

      650

    • ID (A)

      37

    • VGS_max(V) (dynamic)

      -10/+25

    • VTH (V)

      3

    • RDS(ON)@15V,25℃ Typ (mΩ)

      -

    • RDS(ON)@18V,25 ℃ Typ (mΩ)

      60.00

    • RDS(ON)@18V,25 ℃ Max (mΩ)

      -

    • RDS(ON)@18V,175℃ Typ (mΩ)

      -

    • Ciss (pF)

      1190.00

    • Coss (pF)

      129.00

    • Crss (pF)

      13.00

    • Qg@Vgs= -5 V/+20 V (nC)

      68.00

    • Qgs (nC)

      16.00

    • Qgd (nC)

      17.00

    • Vf (V)@标称电流 25℃

      3.30

    • Vf (V)@标称电流 175℃

      2.60

  • GE300C120KW
    • Voltage Range

      650V

    • Package

      TO-247-4L

    • Chip Process

      SiC MOS

    • Polarity

      N

    • VDS_max (V)

      650

    • ID (A)

      37

    • VGS_max(V) (dynamic)

      -10/+25

    • VTH (V)

      3

    • RDS(ON)@15V,25℃ Typ (mΩ)

      -

    • RDS(ON)@18V,25 ℃ Typ (mΩ)

      60.00

    • RDS(ON)@18V,25 ℃ Max (mΩ)

      -

    • RDS(ON)@18V,175℃ Typ (mΩ)

      -

    • Ciss (pF)

      1190.00

    • Coss (pF)

      129.00

    • Crss (pF)

      13.00

    • Qg@Vgs= -5 V/+20 V (nC)

      68.00

    • Qgs (nC)

      16.00

    • Qgd (nC)

      17.00

    • Vf (V)@标称电流 25℃

      3.30

    • Vf (V)@标称电流 175℃

      2.60

  • GER04C120SW
    • Voltage Range

      650V

    • Package

      TO-247-4L

    • Chip Process

      SiC MOS

    • Polarity

      N

    • VDS_max (V)

      650

    • ID (A)

      37

    • VGS_max(V) (dynamic)

      -10/+25

    • VTH (V)

      3

    • RDS(ON)@15V,25℃ Typ (mΩ)

      -

    • RDS(ON)@18V,25 ℃ Typ (mΩ)

      60.00

    • RDS(ON)@18V,25 ℃ Max (mΩ)

      -

    • RDS(ON)@18V,175℃ Typ (mΩ)

      -

    • Ciss (pF)

      1190.00

    • Coss (pF)

      129.00

    • Crss (pF)

      13.00

    • Qg@Vgs= -5 V/+20 V (nC)

      68.00

    • Qgs (nC)

      16.00

    • Qgd (nC)

      17.00

    • Vf (V)@标称电流 25℃

      3.30

    • Vf (V)@标称电流 175℃

      2.60

  • GER04C120KW
    • Voltage Range

      650V

    • Package

      TO-247-4L

    • Chip Process

      SiC MOS

    • Polarity

      N

    • VDS_max (V)

      650

    • ID (A)

      37

    • VGS_max(V) (dynamic)

      -10/+25

    • VTH (V)

      3

    • RDS(ON)@15V,25℃ Typ (mΩ)

      -

    • RDS(ON)@18V,25 ℃ Typ (mΩ)

      60.00

    • RDS(ON)@18V,25 ℃ Max (mΩ)

      -

    • RDS(ON)@18V,175℃ Typ (mΩ)

      -

    • Ciss (pF)

      1190.00

    • Coss (pF)

      129.00

    • Crss (pF)

      13.00

    • Qg@Vgs= -5 V/+20 V (nC)

      68.00

    • Qgs (nC)

      16.00

    • Qgd (nC)

      17.00

    • Vf (V)@标称电流 25℃

      3.30

    • Vf (V)@标称电流 175℃

      2.60

  • GE350C120SW
    • Voltage Range

      650V

    • Package

      TO-247-4L

    • Chip Process

      SiC MOS

    • Polarity

      N

    • VDS_max (V)

      650

    • ID (A)

      37

    • VGS_max(V) (dynamic)

      -10/+25

    • VTH (V)

      3

    • RDS(ON)@15V,25℃ Typ (mΩ)

      -

    • RDS(ON)@18V,25 ℃ Typ (mΩ)

      60.00

    • RDS(ON)@18V,25 ℃ Max (mΩ)

      -

    • RDS(ON)@18V,175℃ Typ (mΩ)

      -

    • Ciss (pF)

      1190.00

    • Coss (pF)

      129.00

    • Crss (pF)

      13.00

    • Qg@Vgs= -5 V/+20 V (nC)

      68.00

    • Qgs (nC)

      16.00

    • Qgd (nC)

      17.00

    • Vf (V)@标称电流 25℃

      3.30

    • Vf (V)@标称电流 175℃

      2.60

  • GER08C120KW
    • Voltage Range

      650V

    • Package

      TO-247-4L

    • Chip Process

      SiC MOS

    • Polarity

      N

    • VDS_max (V)

      650

    • ID (A)

      37

    • VGS_max(V) (dynamic)

      -10/+25

    • VTH (V)

      3

    • RDS(ON)@15V,25℃ Typ (mΩ)

      -

    • RDS(ON)@18V,25 ℃ Typ (mΩ)

      60.00

    • RDS(ON)@18V,25 ℃ Max (mΩ)

      -

    • RDS(ON)@18V,175℃ Typ (mΩ)

      -

    • Ciss (pF)

      1190.00

    • Coss (pF)

      129.00

    • Crss (pF)

      13.00

    • Qg@Vgs= -5 V/+20 V (nC)

      68.00

    • Qgs (nC)

      16.00

    • Qgd (nC)

      17.00

    • Vf (V)@标称电流 25℃

      3.30

    • Vf (V)@标称电流 175℃

      2.60

  • GER16C120KW
    • Voltage Range

      650V

    • Package

      TO-247-4L

    • Chip Process

      SiC MOS

    • Polarity

      N

    • VDS_max (V)

      650

    • ID (A)

      37

    • VGS_max(V) (dynamic)

      -10/+25

    • VTH (V)

      3

    • RDS(ON)@15V,25℃ Typ (mΩ)

      -

    • RDS(ON)@18V,25 ℃ Typ (mΩ)

      60.00

    • RDS(ON)@18V,25 ℃ Max (mΩ)

      -

    • RDS(ON)@18V,175℃ Typ (mΩ)

      -

    • Ciss (pF)

      1190.00

    • Coss (pF)

      129.00

    • Crss (pF)

      13.00

    • Qg@Vgs= -5 V/+20 V (nC)

      68.00

    • Qgs (nC)

      16.00

    • Qgd (nC)

      17.00

    • Vf (V)@标称电流 25℃

      3.30

    • Vf (V)@标称电流 175℃

      2.60

  • GER06C65KW
    • Voltage Range

      650V

    • Package

      TO-247-4L

    • Chip Process

      SiC MOS

    • Polarity

      N

    • VDS_max (V)

      650

    • ID (A)

      37

    • VGS_max(V) (dynamic)

      -10/+25

    • VTH (V)

      3

    • RDS(ON)@15V,25℃ Typ (mΩ)

      -

    • RDS(ON)@18V,25 ℃ Typ (mΩ)

      60.00

    • RDS(ON)@18V,25 ℃ Max (mΩ)

      -

    • RDS(ON)@18V,175℃ Typ (mΩ)

      -

    • Ciss (pF)

      1190.00

    • Coss (pF)

      129.00

    • Crss (pF)

      13.00

    • Qg@Vgs= -5 V/+20 V (nC)

      68.00

    • Qgs (nC)

      16.00

    • Qgd (nC)

      17.00

    • Vf (V)@标称电流 25℃

      3.30

    • Vf (V)@标称电流 175℃

      2.60

c1_img08.jpg

为新能源时代 造好芯

从材料、芯片到模组等多维度出发，提供差异化、定制化解决方案

获取更多方案