• _0003_TO220.png

GE12N65AP

Voltage Range650V
PackageTO-220
Chip ProcessPlanar

VDS_max(V)

650

ID(A)

12

VTH(V)

2.9
RDS(ON)@VGE=10V Typ (mΩ)0.65
RDS(ON)@VGE=10V Max (mΩ)0.8

应用领域

c1_img08.jpg

为新能源时代 造好芯

从材料、芯片到模组等多维度出发,提供差异化、定制化解决方案