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GE140C120KW

Voltage Range1200V
PackageTO-247-4L
Chip ProcessSiC MOS
PolarityN

VDS_max(V)

1200

ID(A)

152

VGS_max(V) (dynamic)

-10/+22

VTH(V)

2.7
RDS(ON)@15V,25 ℃,Typ (mΩ)14.00
RDS(ON)@18V,25 ℃,Typ (mΩ)14.00
RDS(ON)@18V,25 ℃,Max (mΩ)20.00
RDS(ON)@18V,175℃,Typ (mΩ)21.00
Ciss (pF)6053.00
Coss (pF)223.00
Crss (pF)5.00

Qg@Vgs= -5 V/+20 V (nC)

322.00
Qgs (nC)51.00
Qgd (nC)81.00
Vf  (V)@标称电流 25℃5.20
Vf  (V)@标称电流 175℃-
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