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GS14NFB12H1D4

H1 SiC 1200V

VCES (V)+D1:K11200
IC (A)1000
Technology平面SiC MOS
Configruation全桥  Full Bridge
Features椭圆基板
VCE (sat)(V)1.4mΩ
RthJC (K/W)0.106
PackagesH1

应用领域

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为新能源时代 造好芯

从材料、芯片到模组等多维度出发,提供差异化、定制化解决方案