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GS19NFB12H1A4LB

H1 SiC 1200V

VCES (V)+D1:K11200
IC (A)800
Technology平面SiC MOS
Configruation全桥  Full Bridge
Features椭圆基板
VCE (sat)(V)1.9mΩ
RthJC (K/W)0.115
PackagesH1

应用领域

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