• _0003_TO220.png

GE036S11AP

Voltage Range100V
PackageTO-220
Chip ProcessSGT

VDS_max(V)

110

ID(A)

120

VTH(V)

3
RDS(ON)@VGE=10V Typ (mΩ)2.9
RDS(ON)@VGE=10V Max (mΩ)3.6
RDS(ON)@VGE=4.5V Typ (mΩ)-
RDS(ON)@VGE=4.5V Max (mΩ)-

Ciss (pF)

6750

Coss (pF)

1480

Crss (pF)

61

Qg@Vgs=10V (nC)

114

Qgs (nC)

29

Qgd (nC)

32

c1_img08.jpg

为新能源时代 造好芯

从材料、芯片到模组等多维度出发,提供差异化、定制化解决方案