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GE029S10AB

Voltage Range100V
PackageTO-263
Chip ProcessSGT

VDS_max(V)

100

ID(A)

175

VTH(V)

3
RDS(ON)@VGE=10V Typ (mΩ)2.4
RDS(ON)@VGE=10V Max (mΩ)2.9
RDS(ON)@VGE=4.5V Typ (mΩ)-
RDS(ON)@VGE=4.5V Max (mΩ)-

Ciss (pF)

860

Coss (pF)

1100

Crss (pF)

43

Qg@Vgs=10V (nC)

140

Qgs (nC)

42

Qgd (nC)

41

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