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GE080S10AB

Voltage Range100V
PackageTO-263
Chip ProcessSGT

VDS_max(V)

100

ID(A)

112

VTH(V)

2.8
RDS(ON)@VGE=10V Typ (mΩ)6.8
RDS(ON)@VGE=10V Max (mΩ)8
RDS(ON)@VGE=4.5V Typ (mΩ)-
RDS(ON)@VGE=4.5V Max (mΩ)-

Ciss (pF)

1920

Coss (pF)

445

Crss (pF)

7

Qg@Vgs=10V (nC)

30

Qgs (nC)

20

Qgd (nC)

6.8

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