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GE020S04ABL

Voltage Range40V
PackageTO-263
Chip ProcessSGT

VDS_max(V)

40

ID(A)

165

VTH(V)

1.7
RDS(ON)@VGE=10V Typ (mΩ)1.5
RDS(ON)@VGE=10V Max (mΩ)2
RDS(ON)@VGE=4.5V Typ (mΩ)2.4
RDS(ON)@VGE=4.5V Max (mΩ)3

Ciss (pF)

2048

Coss (pF)

1156

Crss (pF)

44

Qg@Vgs=10V (nC)

26

Qgs (nC)

3.6

Qgd (nC)

4.8

应用领域

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为新能源时代 造好芯

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